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用NCP1200代換脈寬調(diào)制控制UC3842的應(yīng)用電路
摘要：介紹了低功率通用離線電源的脈寬調(diào)制電流模式控制器NCP1200的優(yōu)點及其代換電路，同時結(jié)合代換電路，指出了實際應(yīng)用中出現(xiàn)的問題和解決辦法。NCP1200是ON Semiconductor公司生產(chǎn)的低功率通用離線電源脈寬調(diào)制電流模式控制器，它代表向超密集型開關(guān)電源的大飛躍。該器件在對元件數(shù)據(jù)要求比較嚴(yán)格的場合，特別是在低價AC/DC變換器或輔助電源等應(yīng)用方面，不失為理想的選擇。NCP1200包含了基于UC3842的電源中通常所需的所有必要元件，包括定時元件、反饋器件、低通濾波器和自供電等。
1 NCP1200的結(jié)構(gòu)與設(shè)計特點
1.1 NCP1200的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
NCP1200采用標(biāo)準(zhǔn)電流模式體系，關(guān)斷時間由峰值電流設(shè)置點確定。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示，器件內(nèi)部集成有跳周期比較器、40/60/100kHz時鐘、Q觸發(fā)器D≤0.8復(fù)位、欠壓鎖定高低穩(wěn)壓器等。出于NCP1200內(nèi)置有時鐘發(fā)生器，所以無需外接R-C元件。它的工作頻率可在40kHz、60kHz或100kHz中選擇。光耦合器直接接至反饋管腳2上，內(nèi)部的集成電路控制監(jiān)視信號流。250ns的前緣消隱（LEB）電路節(jié)省了一個外部R-C網(wǎng)絡(luò)。NCP1200采用SO-8或DIP8封裝。其管腳說明如表1所列。
表1 NCP1200的管腳說明
說 明
1Adj調(diào)整起跳峰值電流該引腳用來調(diào)整開始跳周期工作的電平2FB設(shè)置峰值電流設(shè)置點通過將一個光耦合器連到該引腳，可隨輸出功率的需求來調(diào)整峰值電流設(shè)置點3CS電流檢測輸入用于檢測初級電流并通過一個L.E.B將其送入內(nèi)部比較器4Gnd集成電路接地端 5Drv驅(qū)動脈沖驅(qū)動器至外部MOSFET的輸出6Vcc集成電路電源該引腳連接一個典型值為10μF的外部電容7NC空腳 8HV從交流線路上產(chǎn)生Vcc該引腳連到高壓干線上，可向Vcc大容易注入一恒定電流1.2 設(shè)計特點
（1）低待機功耗
NCP1200具有符合美國能源之星（Energy Star）和歐洲藍(lán)天使（Blue Angel）等待機能耗規(guī)定的低成本解決方案。由于開關(guān)電源在正常負(fù)載條件下具有良好的效率，而在輸出功率減小時，其效率將開始下降。因此如果采用跳過一些不需要的開關(guān)周期的方法，NCP1200就可以大大減小在輕負(fù)載時的功率消耗。在空載情況下，NCP1200的總待機功率可達(dá)到國際能源機構(gòu)（IEA）最新建議的要求。
（2）無需輔助電源繞組
NCP1200擁有專利的甚高壓集成電路（VHVIC）技術(shù)，此技術(shù)使集成電路可由高壓直流干線直接供電，即NCP1200具有動態(tài)自供電（DSS）功能。因此，在電池充電器應(yīng)用中，使用NCP1200時無需設(shè)計專門的初級電路來應(yīng)付輔助電源的瞬間丟失（如當(dāng)Vout降低時）。
（3）工作時無音頻噪聲
NCP1200在大的峰值電流時并不跳周期，而是等待直至峰值電流降至用戶可調(diào)的最大限制值的1/3以下時才發(fā)生跳周期，這使得變壓器不發(fā)生振鳴，因而可選擇便宜的磁性器件而不會出現(xiàn)噪聲。
（4）短路保護(hù)
通過持續(xù)監(jiān)視反饋線的狀況，NCP1200能檢測到出現(xiàn)短路的情況，并立即將輸出功率減少，對對整個電路保護(hù)。一旦短路消失，控制器即回復(fù)正常工作。因此，對于給定的應(yīng)用（如恒定輸出功率的電源），可以很方便地斷開這個保護(hù)功能。
此外，NCP1200還具有110mA峰值拉/灌電流能力、直接光耦連接以及內(nèi)部熱關(guān)斷等優(yōu)點。
2 代換電路
圖2是用NCP1200代替UC3842的代換電路，該控制芯片通常應(yīng)用在單端反擊電路中，電路中的NCP1200直接由高壓直流干線供電。假如對代換電路做些小調(diào)整將會有意想不到的結(jié)果。
（1）進(jìn)一步降低總待機功耗
集成電路內(nèi)部的功耗由其內(nèi)部各電子模塊（時鐘、比較器、驅(qū)動器等）的功耗組成，但也取決于MOSFET的柵極電荷量Qg。驅(qū)動MOSFET的平均電流（不包含驅(qū)動器的效率，并忽略各種電壓降）為：
I=fsw·Qg/2
其中，fsw為最大開關(guān)頻率(Hz)；
Qg為MOSFET的柵極電荷（C）
所以可以通過以下方法進(jìn)一步來減小功耗；
*用具有小柵極電荷量Qg的MOSFET；
*通過一個二極管將腳8連至電源輸入端；
*如果采用輔助繞組使Vcc電平持續(xù)保持在Vccl之上，那么，內(nèi)部啟動源將自動斷開而集成電路將完全由此繞組自供電。而且，來自主干線的總功率將明顯降低。但必須確保輔助電壓不超過16V，特別是在過沖瞬態(tài)情況下（例如突然去掉負(fù)載）。因此，還應(yīng)采用有效的過壓保護(hù)（OVP）。
（2）過載檢測失效
將一個20kΩ的電阻從FB接至地端將使過載保護(hù)電路失效。這是一個非常有用的方法，特別是在需要構(gòu)建一個恒輸出功率變換器時。
（3）跳周期調(diào)節(jié)
通過改變管腳1上出現(xiàn)的直流電壓，可以調(diào)節(jié)跳周期發(fā)生時的電流值。在缺省情況下，峰值電流會在降至最大峰電流的三分之一以下時發(fā)生跳周期。如果需要在更大的電流時進(jìn)入待機狀態(tài)，可簡單地將一個電阻接在管腳6（Vcc）上以提升管腳1的電平。相反地如果認(rèn)為缺省的跳周期峰值電流設(shè)定點太高，也可將一個電阻從管腳1接地而使其降低。管腳1的輸出電阻典型值為24kΩ。
（4）外接MOSFET
由于允許集成電路外接MOSFET，所以可選用防雪
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