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閃速存儲器芯片K9F6408系列的典型應用
摘要：K9F6408系列是8M×8bit的NAND型閃速存儲器。它以其快速讀寫循環，數據硬件保護，可擦除，I/O口命令/地址/數據線復用和接口便利等特點，正成為大型數據如語音、數字圖像、文件等系統數據的載體。本文給出了K9F640800A與單片機P87C52的硬件連接電路及閃速存儲器操作的軟件應用程序。關鍵詞：flash 存儲器；扇區；操作；應用程序
1、概述
存儲器是計算機外圍產品的重要組成部分，在經歷了ROM, PROM和 EPROM和 如今已到了閃速存儲器(Flash Memory)的時代。Flash存儲器以其低成本，高可靠性的讀寫，非易失性，可擦寫性和操作簡便而成為一系列程序代碼（應用軟件）和數據（用戶文件）存儲的理想媒體，從而受到到嵌入式系統開發者的歡迎。
Flash存儲器的應用范圍極廣，從現代計算機優盤到嵌入式系統中取代 的地位，可謂占盡風流。正因為Flash的應用廣泛，了解和掌握Flash的相關操作和管理技術就極為重要。大致說來Flash操作包括：檢錯（對Flash內部壞扇區的檢測）、寫操作（寫入數據）、讀操作（從Flash中讀出數據）、空間管理和擦除操作。在系統中我們選用AT87C52單片機，它有24個I/O口，其中8個作為有特殊功能的I/O口，因此只剩16個I/O口可供一般的輸入/輸出使用。我們選用K9F640800A閃存的主要原因是它能節約I/O口，即它的地址線和數據線可復用。而其他許多閃存的地址線和數據線是分開使用的。因此，本文以SAMSUNG公司的K9F640800A為例，介紹Flash的操作技術。
2、K9F640800A芯片的性能特點：
·供電電壓：2.7v～3.6v
·該芯片容量為66Mbits，由1024塊組成，每塊又由16頁組成，一頁共有（512＋16）×8bit。使用64Mbits,另外還有2Mbits的閑置儲存空間。
·寫和讀以頁為單位，而擦除以塊為單位。讀、寫和擦除操作均通過命令完成，非常方便。（參見圖3）
·此芯片可擦寫1百萬次，掉電數據不丟失，數據可保存十年。
·有8位串行口，且可復用，既可作為地址和數據的輸入/輸出引腳，又可作命令的輸入引腳，根據時序采用分時循環。（見時序圖5）
·寫入每頁的時間為200us，平均每寫一個字節約400ns，即約20Mb/s。
·該flash的每一個扇區又分為三個區（256字節，256字節和16字節），如果需要對這三個區獨立操作，則通過00h,01h和50h命令分別選中。（參見圖3）
·快速的讀寫循環和數據硬件保護。
引腳分布、功能及操作命令如圖1所示：
3、P87C52與K9F6408U0A的應用電路
我們設計了一個系統，所需實現的功能是，由P87C52單片機將接收到的GPS芯片發送的數據，按一定的格式處理后，存儲到Flash芯片上。當上位機發出讀命令時，P87C52再從flash中取出數據，發給上位機。在此，我們給出了K9F6408U0A的flash芯片與P87C52單片機連接圖（圖2)。
4、K9F6408U0A的軟件編程
K9F6408U0A的軟件編程是采用C語言中嵌入匯編來完成。主要包括：flash扇區檢錯，讀，寫，擦除和管理flash空間。
1）檢錯：剛出廠的Flash中可能存在壞扇區，用久的Flash好扇區也可能變壞。為了保證讀寫數據的可靠性，必須對Flash扇區進行檢測。Flash扇區的好壞標志存在于第3區中的第6 Column, 若扇區已壞，則標志位數據不是FFH。設置一錯誤扇區的表，掃描檢錯flash，將壞扇區的號依次填入表中，將此表保存于flash存儲器中的第一個塊中（因為SAMSUNG確保第一個塊能正確使用）。流程圖(圖四)：
2）讀flash：Flash 分三個區，命令0X00,0X01和0X50可分別讀取第一，二，三區中的數據。
過程為：選中Flash,通過I/O口寫入讀命令字，寫入所讀數據地址，置讀信號有效（下跳沿有效）。
（讀寫）時序圖如下：
具體程序如下：
void FlashRead() 【閃速存儲器芯片K9F6408系列的典型應用】相關文章： 鐵電存儲器在儀表中的應用03-18 FPGA芯片APA150及其應用03-18 數字溫度測控芯片DS1620的應用03-19 PCI接口芯片s5935及其應用03-19 電力載波芯片ST7538及其應用03-18 Neuron多處理器芯片及其應用03-18 USB總線接口芯片CH371及其應用03-18 高性能VGA芯片AD8367原理及應用03-19
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Flash_CE=0; file://片選
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for(d=0;d!=2;d ) file://一次讀兩頁
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uint k=528; file://每個扇區有528個字節