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      物理學研究生畢業論文提綱

      時間:2024-10-17 21:06:39 論文提綱 我要投稿
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      物理學研究生畢業論文提綱

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      物理學研究生畢業論文提綱

        物理學研究生畢業論文提綱范文一

        摘要 5-7

        Abstract 7-9

        目錄 10-14

        第1章 緒論 14-32

        1.1 課題研究背景及意義 14

        1.2 常用非球面加工技術簡介 14-20

        1.2.1 計算機控制表面成形技術(CCOS) 15-16

        1.2.2 應力盤拋光技術 16-17

        1.2.3 氣囊拋光技術 17-18

        1.2.4 離子束拋光技術 18-19

        1.2.5 磁流變拋光技術 19-20

        1.3 磁流變液的研究和應用現狀 20-25

        1.3.1 磁流變液的發展與應用簡介 20-22

        1.3.2 磁流變液的研究現狀 22-25

        1.4 磁流變拋光技術的研究現狀 25-30

        1.4.1 磁流變拋光原理 25-26

        1.4.2 磁流變拋光液的研究現狀 26-27

        1.4.3 磁流變拋光設備的研究現狀 27-28

        1.4.4 磁流變拋光的材料去除模型 28-30

        1.5 本論文的主要研究內容 30-32

        第2章 磁流變拋光液研制及性能測試 32-64

        2.1 概述 32

        2.2 磁流變拋光液的分散穩定機理 32-36

        2.2.1 靜電排斥理論—DLVO理論 33-34

        2.2.2 空間排斥理論—HVO理論 34-35

        2.2.3 磁流變拋光液中鐵磁顆粒沉降性問題 35-36

        2.3 磁流變拋光液的配制研究 36-48

        2.3.1 磁流變拋光液的性能要求 36

        2.3.2 磁流變拋光液成分的選擇 36-42

        2.3.3 磁流變拋光液的配制工藝流程 42-48

        2.4 磁流變拋光液的性能檢測 48-55

        2.4.1 磁流變拋光液的分散穩定性檢測 48-50

        2.4.2 磁流變拋光液的零磁場粘度檢測 50-52

        2.4.3 磁流變拋光液的剪切屈服應力檢測 52-54

        2.4.4 去除函數實驗 54-55

        2.5 磁流變拋光液的性能優化 55-62

        2.5.1 磁流變拋光液的分散體系特性 56-57

        2.5.2 絮凝型磁流變拋光液 57-58

        2.5.3 去除函數實驗 58-62

        2.6 本章小結 62-64

        第3章 磁流變拋光循環控制系統及其對去除函數的影響 64-86

        3.1 概述 64

        3.2 磁流變拋光設備主要結構形式 64-68

        3.2.1 平置式磁流變拋光結構 64-66

        3.2.2 正置式磁流變拋光結構 66-67

        3.2.3 倒置式流變拋光結構 67-68

        3.3 磁流變拋光循環控制系統 68-73

        3.3.1 磁流變拋光設備的主要結構 68-69

        3.3.2 循環系統的主要部件 69-72

        3.3.3 控制模塊的主要部件 72-73

        3.4 溫度變化對去除函數的影響 73-77

        3.4.1 溫度變化對粘度的影響 73-74

        3.4.2 溫度變化對流量的影響 74-75

        3.4.3 溫度變化對去除函數的影響 75-77

        3.5 粘度變化對去除函數的影響 77-81

        3.5.1 鐵粉顆粒含量對磁流變拋光液粘度的影響 77-79

        3.5.2 粘度變化對去除函數的影響 79-81

        3.6 去除函數穩定性測試 81-85

        3.7 本章小結 85-86

        第4章 工藝參數對工件受力和去除函數的影響 86-124

        4.1 概述 86

        4.2 實驗細節描述 86-89

        4.2.1 測量設備 87-88

        4.2.2 拋光材料 88-89

        4.3 壓入深度與工件受力和去除函數的關系 89-102

        4.3.1 BK7 玻璃 91-96

        4.3.2 RB-SiC陶瓷材料 96-101

        4.3.3 壓入深度h0過大對去除函數的影響 101-102

        4.4 拋光液成分對工件受力和去除函數的影響 102-119

        4.4.1 鐵粉顆粒含量的影響 102-107

        4.4.2 鐵粉粒徑的的影響 107-113

        4.4.3 拋光粉含量的影響 113-119

        4.5 材料去除效率與工件受力的關系 119-123

        4.5.1 正壓力和壓強與材料去除效率關系 119-121

        4.5.2 剪切力和剪切應力與材料去除效率關系 121-123

        4.6 本章小結 123-124

        第5章 碳化硅及改性硅表面的磁流變拋光 124-149

        5.1 概述 124

        5.2 碳化硅材料的磁流變拋光 124-126

        5.2.1 碳化硅的材料特性 124-125

        5.2.2 常用碳化硅材料的比較 125-126

        5.3 RB-SiC的磁流變拋光 126-138

        5.3.1 RB-SiC的材料去除機理 126-130

        5.3.2 RB-SiC的粗糙度 130-133

        5.3.3 RB-SiC材料的實際拋光 133-138

        5.4 RB-SiC基底改性硅表面的磁流變拋光 138-148

        5.4.1 碳化硅材料的改性 138-140

        5.4.2 改性硅的磁流變拋光 140-148

        5.5 本章小結 148-149

        第6章 總結與展望 149-151

        6.1 總結 149-150

        6.2 論文創新點 150

        6.3 工作展望 150-151

        參考文獻 151-159

        物理學研究生畢業論文提綱范文二

        摘要 5-7

        Abstract 7-8

        目錄 9-12

        第1章 緒論 12-26

        1.1 半導體激光器的研究進展 12-21

        1.1.1 高功率半導體激光器 12-15

        1.1.2 高效率半導體激光器 15

        1.1.3 高可靠性半導體激光器 15-16

        1.1.4 高光束質量半導體激光器 16-18

        1.1.5 窄線寬半導體激光器 18-21

        1.2 單縱模半導體激光器的研究進展 21-23

        1.2.1 國外單縱模半導體激光器的研究進展 22-23

        1.2.2 國內單縱模半導體激光器的研究進展 23

        1.3 本文的研究目的與內容 23-26

        第2章 高階光柵單縱模半導體激光器理論設計與分析 26-46

        2.1 半導體激光器的基本特性 26-29

        2.1.1 半導體的輻射躍遷 26-27

        2.1.2 半導體激光器的增益與閾值條件 27-29

        2.2 半導體激光器的輸出功率與轉換效率 29-31

        2.2.1 半導體激光器的輸出功率 29-30

        2.2.2 半導體激光器的轉化效率 30-31

        2.3 半導體激光器的縱模與光譜特性 31-32

        2.4 高階布拉格光柵波導的理論模型 32-38

        2.4.1 分布反饋(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33

        2.4.2 散射理論 33-36

        2.4.3 傳輸矩陣理論模型 36-38

        2.5 高階布拉格光柵波導的光學特性分析 38-42

        2.5.1 傳輸矩陣分析 38-40

        2.5.2 高階布拉格光柵的損耗光譜 40-42

        2.6 單縱模激光器的空間相干性分析 42-45

        2.6.1 部分相干光定理 42-43

        2.6.2 相干度理論計算方法 43-45

        2.7 本章小結 45-46

        第3章 高階光柵單縱模半導體激光器制備 46-68

        3.1 外延生長技術 46-47

        3.2 光刻技術 47-52

        3.3 刻蝕技術 52-61

        3.3.1 干法刻蝕 52-55

        3.3.2 SiO2和GaAs刻蝕工藝探索 55-59

        3.3.3 濕法腐蝕 59-61

        3.4 薄膜生長技術 61-65

        3.4.1 電絕緣膜生長技術 62

        3.4.2 金屬電極生長技術 62-64

        3.4.3 光學薄膜生長技術 64-65

        3.5 高階光柵半導體激光器的制備 65-66

        3.6 本章小結 66-68

        第4章 高階光柵分布布拉格反射半導體激光器 68-94

        4.1 高階光柵單縱模分布布拉格反射半導體激光器 68-81

        4.1.1 器件結構設計 68-76

        4.1.2 器件制備 76-77

        4.1.3 器件測量結果 77-81

        4.2 雙波長高階光柵分布布拉格發射激光器 81-86

        4.2.1 器件設計 81-83

        4.2.2 器件制備 83-84

        4.2.3 器件測量結果 84-86

        4.3 高階光柵耦合半導體激光器可靠性分析 86-92

        4.3.1 拉曼光譜分析技術原理 87-88

        4.3.2 測試結果與分析 88-92

        4.4 本章小結 92-94

        第5章 高階光柵單縱模分布反饋半導體激光器 94-100

        5.1 器件制備 94-96

        5.2 器件測量結果 96-99

        5.3 本章小結 99-100

        第6章 單縱模半導體激光器件空間相干特性的研究 100-116

        6.1 VCSEL單管器件空間相干性研究 100-107

        6.1.1 部分相干光理論 101-103

        6.1.2 測試結果 103-107

        6.2 VCSEL列陣器件的空間相干特性研究 107-114

        6.2.1 器件設計 107-110

        6.2.2 器件制備 110

        6.2.3 測試結果 110-114

        6.3 本章小結 114-116

        第7章 總結與展望 116-118

        參考文獻 118-132


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